과학

한계 보이는 낸드 플래시 SSD, ‘상변화메모리’가 대안?


  • 최용석
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    입력 : 2009-11-02 14:24:18

    30nm급 공정에 들어선 낸드(NAND) 플래시메모리의 뒤를 이어 ‘상변화메모리’가 SSD(Solid State Drive)의 핵심 저장장치가 될 전망이다.

     

    일부 외신에 따르면 인텔이 수년 내로 한계에 근접한 기존의 낸드 플래시 대신 상변화(Phase Change)메모리를 SSD의 주 저장 장치로 대체할 계획을 밝혔다는 것.

     

    낸드 플래시 메모리는 처음 등장 이후 지금까지 제조 공정이 지속적으로 개선되면서 집적도와 저장 용량은 계속 높아지는 반면 가격은 계속 떨어져 왔었다.

     

    하지만 업계 전문가들은 최근 인텔과 삼성등 SSD용 낸드 플래시를 제조하는 업체들이 30nm급 낸드 플래시를 개발한 이후, 공정 기술 발전을 통한 집적도 및 용량 상승이 더욱 어려워질 것이라고 내다봤다.

     

    이에 인텔은 플래시메모리의 대체 수단으로 상변화메모리를 생각하고 있으며, 특히 상변화메모리에 적층(Multi-layered) 구조를 도입해 집적도 및 용량을 크게 끌어올리는 새로운 기술을 개발하고 있는 것으로 알려졌다.

     

    또 인텔은 상변화 메모리를 적용하면 현재의 플래시 메모리에 비해 낮은 레이턴시에 높은 대역폭을 끌어낼 수 있으며, 공정 수준도 5nm급으로 끌어내릴 수 있을 것으로 기대한다고 언급했다.

     

    한편 상변화(phase change 또는 phase shift)메모리는 과거 고가였던 플래시메모리를 대체하기 위해 현재도 개발이 계속되고 있는 차세대 비휘발성 메모리로, 플래시메모리에 비해 구조가 단순하고 생산단가는 저렴한 반면 D램에 준하는 월등한 성능을 가진 것으로 알려져 있다.

     

    ▲ 인텔이 개발중인 적층형 '스위칭 상변화메모리(PCMS)'의 절단면 사진 (사진=인텔)

     

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