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킬로패스,새로운 DRAM 기술 'VLT' 발표… "DRAM 시장 판도 바꿀것"


  • 이직 기자
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    입력 : 2016-10-11 12:40:48

    임베디드 비휘발성 메모리(NVM) 전문기업 킬로패스 테크놀로지)는 11일, 자사의 VLT(Vertical Layered Thyristor) 기술을 공개하고 향후 DRAM 시장의 판도를 바꿔 나갈 계획이라고 밝혔다.

    VLT 비트셀(Bitcell)은 2015년에 검증을 마쳤으며, 메모리 매크로 테스트 칩은 현재 테스트 초기 단계에 있다.

    킬로패스는 자사 고유의 초고속 TCAD 시뮬레이터를 이용해 실제 반도체 측정과 동일한 경향을 보여주는 결과들로 제조가능성을 철저히 검증했다고 회사측은 강조했다.

    킬로패스의 VLT 기술은 래치를 형성하는 바이폴라 트랜지스터의 교차결합쌍(Cross-coupled Pair)과 전기적으로 대등한 복잡한 구조인 사이리스터(Thyristor) 기술을 기반으로 한다.

    이 구조는 값을 저장하기 때문에 메모리 애플리케이션에 적합한데, 현재의 커패시터 기반 DRAM 기술과 달리 리프레시(Refresh)를 요구하지 않는 것이 특징이다.

    사이리스터는 1950년대에 처음 개발된 이후 SRAM 시장에서 이를 활용해 보려는 시도가 몇 차례 있었지만 성공을 거두지는 못했다.

    VLT는4.5F2 의 고밀도 셀 구조를 위해 사이리스터 구조를 보조 소자와 같이 수직으로 구현한 것을 기반으로DRAM 비트셀을 실현한 것이다. 이를통해 제조 방식이 간소화되고 크로스포인트 메모리처럼 동작할 수 있게 됐다.

    VLT는 복잡한 커패시터를 없앴기 때문에 7nm까지 곧바로 확장이 가능하다. 그 결과, 동일한 공정 기술로 제조할 경우, 비용을 45% 낮출 수 있는 DDR 호환 기술을 확보할 수 있다.

    또한 VLT는 복잡하고 전력을 소비하는 리프레시 동작이 필요 없기 때문에, VLT 기반 DDR4 DRAM은 대기모드 전력소비를 10배 더 적은 50fA/bit로 줄일 수 있으며, 성능은 15%까지 높일 수 있다. VLT는 제조를 단순화하며, 기존 공정 장비와 소재, 플로우를 그대로 사용할 수 있도록 설계됐다.

    VLT 비트셀 동작 및 실리콘 측정은 2015년에 완료되었으며, 기존 TCAD 시뮬레이터보다 10만배 더 빠른 킬로패스 고유의 초고속 TCAD 시뮬레이터 결과와 잘 일치한다는 것을 보여줬다.

    이 TCAD 시뮬레이터는 킬로패스가 핵심 공정 파라미터에 대한 제조 윈도우를 예측하여 해당 제조 공정에 맞게 설계를 최적화 할 수 있도록 해준다. 완전한 매크로 레벨 테스트 칩은 5월에 테이프 아웃을 마쳤으며, 현재 1차 칩(실리콘) 테스트를 진행중이다.

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    베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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