ST, 엠디메쉬 DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터 공개

이직 기자

입력 : 2016-03-08 13:47:11

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다.

전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고, 저장하고, 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세이다.

이에 따라 클라우드를 호스트하는 대규모 서버팜(Server Farm)은 물론 모든 사람과 사물의 연결 매개체가 제공될 뿐만 아니라 궁극적으로는 데이터 사용이 이루어지는 통신 네트워크에서의 에너지 소모를 최소화할 필요가 증가하고 있다.

이에 ST는 최첨단 전력-트랜지스터 구조에 작은 사이즈와 비용 효율성, 열효율이 높은 파워플랫(PowerFLAT) 8x8 HV 패키징 기술을 결합한 세계 최상의 전력밀도 솔루션을 선보이고 있다.

ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며, 최고 650V의 항복전압을 갖춘 다양한 초접합(Super-Junction) 전력 MOSFET으로 구성된다.

낮은 게이트 차지(Gate Charge), 입력 커패시턴스 및 저항, 고속 회복 위상 진성 다이오드, 매우 낮은 회복 차지(Qrr) 및 회복 시간(Trr), 소프트-스위칭 성능 등의 기술적 특성을 갖췄다.

ST의 새로운 엠디메쉬 DM2 전력 MOSFET 디바이스는 현재 다양한 패키지 및 항복전압 조합으로 공급되고 있으며 1,000개 당 1.55달러이다.