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실리콘랩스, 절연 게이트 드라이버 출시…고성능 잡음 내성 구현


  • 이직 기자
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    입력 : 2016-03-07 10:58:05

    실리콘랩스에서  절연 게이트 드라이버 신제품 출시를 알렸다.

    이번 Si827x ISOdriver 제품군은 서버, 컴퓨터 및 기지국의 전원 공급 장치와, 태양 인버터 및 마이크로인터버, 클래스 D 증폭기, 모터 컨트롤러, 전기차/하이브리드 전기차(EV/HEV)를 위한 충전기에도 사용할 수 있다.

    이번 제품군은 상용화된 게이트 드라이버 중 가장 높은 잡음 내성을 제공한다는게 회사측의 설명이다.

    전원 공급장치를 설계하는 사람들에게 무엇보다 우선시 되어 고려되는 설계기준은 단위 부피 당의 전력(W/mm3)이다. 전력 밀도를 극대화로 하기 위하여, 수많은 설계자들이 변조에 더 높은 스위칭 주파수를 선택한다.

    전원 공급 시스템은 실리콘 기반의 MOSFET과 새로운 GaN(gallium nitride) 및 SiC기반의 MOSFET과 같은 고전력 반도체 스위치를 사용하며, 이러한 스위치를 제어하기 위해서는 고전류 절연 드라이버가 요구된다.

    고속 스위칭은 시스템 효율을 향상시키지만 더 많은 잡음을 만들어 내어 신호 손실이나 래치업으로 인한 영구적인 손상을 가져 올 수 있다.

    Si827x 게이트 드라이버는 고속 스위칭으로 유발되는 이러한 잡음에 대한 뛰어난 내성을 제공함으로써 전원 시스템을 보호한다.

    Si827x 게이트 드라이버는 오늘날 상용화된 다른 게이트 드라이버의 내성 등급보다 2배 이상 높은 업계 선도적인 잡음 내성(200 kV/µs)과 래치업 내성(400 kV/µs)을 제공한다.

    고성능의 잡음 내성을 갖춘 Si827x 제품군은 더 빠른 스위칭 속도로 인하여 기인하는 위험을 제거하고, 안전에 대한 주요 고려사항일 수 있는 래치업과  변조 손실을 방지한다. Si827x 제품군의 매우 높은 래치업 사양은 게이트 드라이버를 매우 강건하게 하고, 영구적인 래치업 손상을 방지한다.

    Si827x 제품군은 전력 컨버터 애플리케이션을 위하여 2개의 독립적인 입력 또는 단일 입력을 갖춘 단일 또는 듀얼 방식의 절연 드라이버의 선택이 가능하다.

    이 드라이버는 넓은 범위의 2.5 - 5.5 V 입력 VDD 및 최대 30 V의 드라이브 전원 전압을 지원한다.

    절연 게이트 드라이버 Si827x 제품들의 샘플 및 생산 수량은 내로우 바디(narrow-body) SOIC 및 5 mm x 5 mm LGA 패키지로 이용할 수 있다.


    베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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