반도체 회사 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 자동차 애플리케이션용 고전압 N-채널 전력 모스펫(MOSFET) 제품군을 출시했다.

AEC-Q101 인증을 받은 디바이스로, 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재했고 ST의 MDmesh DM2 초접합(Super-Junction) 기술로 구현됐다. 항복전압 범위가 400~650볼트 이상이며 D2PAK, TO-220, TO-247 패키지로 제공된다.

400볼트와 500볼트 디바이스는 이러한 항복전압에서는 AEC-Q101을 처음으로 인증받은 제품이고 600볼트와 650볼트 디바이스는 경쟁 제품 대비 뛰어난 성능을 제공한다.

이 디바이스 모두 집적화된 고속 바디 다이오드, 보다 유연한 통신 활동, 백투백 게이트-소스 제너 프로텍션 기능이 필요한 자동차 애플리케이션에 최적화되어 있다.

풀-브리지(Full-Bridge) 제로전압스위칭 토폴로지에 적합한 제품이다.

ST의 새로운 자동차용 전력 모스펫은 △고속-회복 바디 다이오드 △D2PAK 패키지 기반 500볼트 디바이스의 경우 44nC의 매우 낮은 게이트 차지(Gate Charge)와 1850pF 입력 커팬시턴스

△낮은 온-저항(On-Resistance) △최상의 역회복 시간(Reverse Recovery Time; Trr): TO-247 패키지 기반 600볼트 디바이스의 경우 120ns @ 28A, TO-247 패키지 기반 650V 디바이스의 경우 135ns @ 48A △ 게이트-소스 간의 제너 프로텍션등의 기술적 특징을 갖췄다.

제품은 1천개 단위 기준으로 항복전압 및 패키지 타입에 따라 3달러에서 10달러 사이에 공급된다.

베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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