TI,GaN 기반 인버터 레퍼런스 디자인 제공

이직 기자

입력 : 2017-07-05 12:16:28

TI는 3상 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반의 인버터 레퍼런스 디자인을 제공한다고 5일 밝혔다.

이 레퍼런스 디자인을 사용해 개발자들은 더 빠른 전류 루프 제어, 더 높은 효율, 더 정확한 속도 및 토크 제어를 제공하는 200V, 2kW AC 서보 모터 드라이브와 차세대 산업용 로봇을 개발할 수 있다.

이 3상 고주파수 GaN 인버터 레퍼런스 디자인은 TI의 가장 최신의 LMG3410 600V, 12A GaN 전력 모듈을 사용하고 있다. 지난 해 출시된 LMG3410은 FET, 게이트 드라이버 및 보호 기능을 통합했다.

TI에 따르면, 이 GaN 모듈을 통해 실리콘 FET보다 최대 5배까지 더 빠르게 스위칭할 수 있으며 100kHz PWM 주파수로 98% 이상의 효율을, 24kHz PWM 주파수로 99% 이상의 효율을 제공한다.

GaN을 사용함으로써 개발자가 스위치 성능을 최적화해 모터의 전력 손실을 낮출 수 있으며, 히트 싱크의 크기를 줄임으로써 보드 공간을 절약할 수 있다.

인버터를 100kHz로 스위칭할 수 있어 인덕턴스가 낮은 모터에 사용할 때 토크 리플을 향상시킬 수 있다.

이 GaN 인버터 전력 스테이지는 TI의 TMS320F28379D 드라이브 제어 시스템온칩(SoC)을 비롯한 마이크로컨트롤러(MCU)와 손쉽게 인터페이스하여 전압 주파수를 동적으로 조절할 수 있으며 초고속 전류 루프 제어를 달성할 수 있다.

이 레퍼런스 디자인은 GaN 모듈 이외에도 전류 감지 기능을 통합한 TI의 AMC1306 절연형 델타-시그마 모듈레이터를 사용한다. 이를통해 모터 제어 성능을 향상시킨다.