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인피니언, 고전력밀도 디스크리트 IGBT 출시…TO-247PLUS 패키지 적용


  • 이직 기자
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    입력 : 2017-06-13 08:58:09

    인피니언 테크놀로지스에서 TO-247PLUS 패키지에 최대 정격 다이오드를 통합한 75A/1200V 디스크리트 IGBT를 출시했다.

    새로운 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지는 전력 밀도와 효율에 대한 요구를 충족한다. 드라이브, 광전지, UPS 등 1200V 블로킹 전압으로 높은 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션 및 배터리 충전, 에너지 저장 시스템에 적합하다.

    표준 TO-247-3 패키지와 비교해서 TO-247PLUS 패키지는 두 배의 전류 정격을 제공할 수 있다. 표준 TO-247 패키지에서 나사 구멍을 없앴다.이를통해 더 넓은 리드 프레임 면적을 사용할 수 있어 더 큰 IGBT 칩을 탑재할 수 있다.

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    인피니언은  기존과 동일한 풋프린트로 다이오드를 통합한 최대 75A 용량의 1200V IGBT를 제공하게 됐다.

    스위칭 손실을 개선하고자 하는 디자이너들을 위해 TO-247PLUS 4핀 패키지는 추가적인 켈빈 이미터 소스 핀을 제공한다. 

    또한 TO-247PLUS 3핀 및 4핀 패키지로 제공되는1200V IGBT를 사용해 시스템 전력 밀도를 높일 수 있다. 병렬로 사용되던 전력 디바이스 수를 줄일 수 있으며, 시스템 효율을 높이거나 아니면 시스템 열 조건을 개선할 수 있다.

    TO-247PLUS 3핀 및 TO-247PLUS 4핀 1200V IGBT 제품은 현재 양산 공급되고 있다. 이들 제품은 40A, 50A, 75A IGBT에 최대 전류 프리휠링 다이오드를 통합했다.


    베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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