ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 2A~40A의 1200V SiC JBS(Junction Barrier Schottky) 다이오드를 출시했다.

ST의 SiC 다이오드 제조 공정은 순방향 전압(최저 VF)을 갖춘 디바이스를 구현할 수 있어 더 낮은 전류 정격의 다이오드를 이용해 높은 효율 및 신뢰성을 달성해 비용 절감의 효과를 거둘 수 있다.

이는 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전, 전원 어댑터처럼 비용에 민감한 애플리케이션에서도 SiC 기술의 적용 가능성을 높일 수 있는 요소가 된다.

낮은 순방향 전압 강하(VF)를 통해 제공되는 높은 효율 마진은 OBC(On-Board Battery Charger) 및 PHE/EV(Plug-In Hybrid or Electric Vehicles)용 충전소와 같은 자동차 장비에도 높은 이점을 제공한다.

또한 전반적으로 견고한 전기적 성능을 제공함으로써 통신 및 서버 전원공급 장치, 고전력 산업용 SMPS 및 모터 드라이브, UPS, 대형 태양광 인버터에도 부합할 수 있다.

SiC 효율을 극대화하는 것은 물론, 최저 VF를 달성함으로써 동작온도를 낮추고, 애플리케이션 수명을 연장할 수 있다.

ST의 새로운 1200V SiC 다이오드 제품군은 표면실장형 DPAK HV(High-Voltage) 및 D²PAK 또는 쓰루홀 TO-220AC 및 TO-247LL(Long-Lead) 패키지 기반의 자동차-인증 디바이스를 비롯해 2A에서 40A에 이르는 전류정격을 지원한다. 책정 가격은 1,000개 주문 시 TO-220AC10A 패키지 기반 STPSC10H12D의 경우 2.5달러에서 시작한다.

베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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