ST마이크로일렉트로닉스가 신규 900V MDmesh K5 수퍼-정션(Super-Junction) MOSFET을 출시했다.

이번에 선보인 새로운 시리즈는 RDS(ON)이 100mΩ 미만인 최초의 900V MOSFET을 포함하며, DPAK 디바이스 중에서 업계 최고의 RDS(ON)을 제공한다.

ST에 따르면, 이 신규 시리즈는 업계 최저 수준의 최저 게이트 전하(Qg)를 통해 넓은 입력전압 범위를 필요로 하는 시스템에서 보다 빠른 스위칭으로 탁월한 유연성을 제공할 수 있다.

이러한 특성은 최저 35W에서 최고 230W 이상의 전력 등급을 제공하는 표준, 유사-공진(quasi-resonant), 능동-클램프 설계를 포함한 모든 유형의 플라이백 컨버터에서 높은 효율과 신뢰성을 보장한다.

또한 낮은 입출력 커패시턴스(Ciss, Coss)는 하프-브리지 LLC 공진 컨버터의 에너지 손실을 최소화함으로써 제로-전압 스위칭을 구현한다.

새로운 디바이스의 향상된 안전 마진과 탁월한 정적 및 동적 동작 덕분에 서버 전원 공급장치, 3-상 SMPS(Switched-Mode Power Supply), LED 조명전원, EV(Electric-Vehicle) 충전기, 태양광 발전기, 용접기, 산업용 드라이브, 공장 자동화와 같은 다양한 제품의 성능을 향상시킬 수 있다.

ST의 MDmesh K5 수퍼-정션 트랜지스터 제품군은 800V, 850V, 900V, 950V, 1050V, 1200V, 1500V의 다양한 전압 등급을 제공한다.

또 TO-220AB, TO-220FP, TO-247, TO-247 Long Lead, IPAK, I2PAK를 포함한 패키지 옵션과 함께 D2PAK 및 DPAK 표면실장 전력 패키지를 제공하여 설계자들에게 폭넓은 VHV(Very High Voltage) MOSFET 포트폴리오를 제공한다.

베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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