삼성전자와 SK하이닉스의 올해 메모리 반도체의 투자 중심이 낸드플래시에서 D램으로 빠르게 이동 중이다. 양사는 낸드플래시 메모리를 중심으로 세워진 당초 투자 계획을 최근 잇따라 변경하고 있는 것으로 알려졌다.

D램 시장은 공급에 비해 여전히 수요가 초과 중이어서 가격이 상승 중인 데 반해, 낸드플래시 메모리는 수급이 균형을 이루며 가격이 약세 흐름을 보이는 데 따른 결과다.

5일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 D램 공급을 확대하는 동시에 생산 효율을 높이는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 당초 낸드플래시에 시설투자를 집중하려던 계획에서 D램 출하량을 크게 늘리는 쪽으로 메모리반도체 사업전략을 수정하고 있는 것이다.

실제 삼성전자는 평택공장 상층부를 낸드플래시 중심에서 D램 중심으로 공정을 전환하고 있다. 현재 D램 생산을 위한 장비들이 입고 중이다. 

해당 공정을 통한 D램 양산 시점도 앞당길 것으로 보인다. 구체적인 양산 시점은 정해지지 않았지만, 당초 계획보다 두세 달 앞당기는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다.

증권가에선 삼성전자가 당초 평택 공장에서 D램 웨이퍼(반도체 원판) 기준 월 3만 장, 낸드플래시 7만 장 규모의 증설투자를 벌이기로 했지만 최근 D램 월 12만 장, 낸드플래시 월 3만 장 규모의 시설투자로 방향을 수정했다는 추정이 나온다.

삼성전자 관계자는 “디램의 수요를 맞추기 위해 평택 상층부에서 D램을 생산하기 위해 신규 설비를 갖추고 있는 상황”이라며 “양산 시점은 시장 상황 등에 따라 조정할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 올해 2년 연속 10조 이상의 대규모 시설투자를 예고했다. 작년 시설투자 규모인 10조 3000억원을 넘어선 금액이다.

구체적인 투자 계획을 밝히진 않았지만, SK하이닉스 역시 ‘D램 투자’에 힘이 쏠리는 분위기다.

우선 SK하이닉스 이천공장의 상층부 M14라인이 낸드플래시 중심에서 일부 D램 라인으로 공정을 전환하고 있는 것으로 알려졌다. 공정 전환이 완료될 경우 M14라인에서 D램 웨이퍼 기준 2만장이 증설될 전망이다.

또한 중국의 D램 생산 전초기지 역할을 할 우시공장 완공에도 박차를 가하고 있다. 우시 공장의 경우 현재 D램 생산시설을 확대하고 있는 것으로 알려졌다.

이처럼 양사의 투자가 D램에 방점이 찍히고 있는 데는 D램과 낸드플래시 메모리 ‘가격’의 추이가 핵심 변수로 작용하고 있다.

올해 1월 D램 가격은 6% 오른데 반해 낸드플래시 가격은 네달 동안 보합세를 유지했다.

반도체 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 D램(DDR4 4Gb 기준) 평균가격은 지난달 말 3.81달러로 전월 말 대비 6.13% 올랐다. 반면 낸드가격(128Gb·MLC 기준)은 5.6달러로 지난 9월 말 이후 4달 연속 같은 가격을 유지중이다.

D램 시장에서는 눈에 띄는 캐파(생산능력) 확장이 이뤄지지 않고 있는데다 기술진화에 어려움을 겪고 있어 가격 상승이 당분간 지속될 것이란 전망이다. 낸드플래시 시장의 경우 업체간 기술 격차가 줄어들며 글로벌 공급량이 빠르게 증가하고 있다는 관측이다.

베타뉴스 온라인뉴스팀 (press@betanews.net)
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