ams, 2017년도 멀티프로젝트웨이퍼 서비스 일정 발표

이직 기자

입력 : 2016-10-24 18:34:40

ams는 MPW(Multi-Project Wafer) 또는 셔틀 런(Shuttle Run)으로 알려진 자사의 IC 프로토타이핑 서비스의 2017년도 일정을 발표했다.

이 프로토타이핑 서비스는 서로 다른 고객들이 주문한 복수의 IC 설계를 하나의 웨이퍼 상에 통합한 것으로, 웨이퍼 및 마스크 비용을 모든 셔틀 참여기업들이 분담하기 때문에 파운드리 고객으로서는 상당한 비용 절감 효과를 누릴 수 있다.

ams의 MPW 서비스는 최근 발표된 180nm CMOS 기술(aC18)을 포함하여 180nm 및 0.35μm의 전 분야에 대해 전문적인 공정 기술을 제공한다.

aC18 프로세스는 수 많은 1.8V 및 5.0V NMOS와 PMOS 디바이스(기판을 기반으로 하는, 부동, 저누설, 높은 스레스홀드 전압 옵션)는 물론, 커패시터 등 완전히 특성화된 수동 소자들까지 지원한다.

152kGates/mm² 게이트 밀도까지 면적에 최적화된 고밀도 저전력 디지털 라이브러리, 최대 6개 금속층으로 이루어진 향상된 디지털 및 아날로그 I/O 라이브러리, 그리고 최대 8kV HBM 레벨의 ESD 보호 셀도 모두 지원한다.

ams의 aC18 프로세스는 광범위한 애플리케이션에서 사용되는 센서와 센서 인터페이스 디바이스에 이상적이다.

aC18 기술이 적용되는 모든 2017 MPW 런(RUN: 팹 공정에서 지정하는 단위로 일반적으로 웨이퍼 24 ~ 25매를 1RUN으로 한다)은 매우 낮은 결함 수준과 높은 수율을 보장하는 ams의 최첨단 200mm 오스트리아 팹에서 제작될 예정이다.

4개의 aC18 MPW 런 외에, ams는 1.8V, 5V, 20V, 50V 디바이스를 지원하는 첨단 180nm 고전압 CMOS(aH18) 기술로 4개의 MPW 런을 제공할 예정이다.

0.35μm 전문 공정의 경우, 총 14개의 런이 2017년에 제공된다. ams의 0.35μm 고전압 CMOS 공정들은 자동차와 산업용 애플리케이션의 고전압 설계에 최적화되었으며 20V, 50V, 120V뿐 아니라 전압 확장이 가능한 트랜지스터도 지원한다.

임베디드 EEPROM 기능의 첨단 고전압 CMOS 공정과 0.35μm SiGe-BiCMOS 기술인 S35 모두 기본적인 CMOS 공정과 호환되며, ams의 MPW 서비스 포트폴리오를 보완한다.

ams는 2017년에 CMP, 유로프랙티스(Europractice), 프라운호퍼 IIS(Fraunhofer IIS), 모시스(Mosis) 등 전세계 파트너 기관들과의 협력을 통해 약 150개의 MPW 서비스 개시 일정을 제공할 예정이다.