아나로그디바이스, 고전력 SPDT 실리콘 스위치 발표

이직 기자

입력 : 2016-06-14 15:30:33

아나로그디바이스(ADI)에서 설계자들이 휴대전화용 무선 시스템에서 하드웨어 크기를 줄이고 바이어스 전력 소비량을 절감할 수 있도록 돕는 고전력(최대 44W) SPDT(single-pole double-throw) 실리콘 스위치를 발표했다.

차세대 통신 인프라가 데이터 용량을 늘리는 방향으로 발전하면서 증가하는 데이터 사용량의 수요를 충족시키기 위해서는 휴대 전화용 무선 프런트 엔드의 크기는 줄이고 더 빠른 속도를 지원해야만 한다.

ADI의 ADRF5130 스위치는 높은 수준의 통합을 통해 다른 부품의 추가 필요성을 제거함으로서 이 요건을 충족시킨다.

또한 이 스위치는 기존의 핀-다이오드 기반 솔루션 대비 낮은 전류를 소모하는 단일·저전압 공급기(single low-voltage supply) 상에서 작동해 전력 소비량을 한층 더 효율적인 수준까지 절감시켜준다.

ADRF5130은 실리콘 기술을 통해 제조되며 4mm × 4mm 크기의 소형 LFCSP SMT 패키지에 장착된다.

ADRF5130은 0.7GHz~3.5GHz 주파수 대역에서 0.6dB(typ)의 삽입 손실, 50dB의 높은 절연 특성, +68dBm의 뛰어난 선형성을 구현하며, 연속 동작 모드에서 44W의 피크 전력(peak power)을 처리할 수 있다.

이 스위치의 모든 핀들의 ESD level이 2000V 이상이며, 1 us 미만의 스위칭 시간(switching time)을 가진 고속 CMOS 호환 제어 인터페이스를 통합한다.

이외에도 대칭형 회로 아키텍처를 통해 고전력 어플리케이션에서 RF 입력을 스위칭하여 사용할 수 있도록 한다.