입력 : 2016-05-28 21:25:50
인피니언 테크놀로지스가 높은 전력 밀도와 성능을 제품 설계에 구현할 수 있도록 하는 혁신적인 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 기술을 발표했다.
인피니언의 CoolSiC MOSFET은 효율과 주파수를 증가시키는 새로운 수준의 유연성을 제공한다.
이 기술은 전력 변환 시스템 개발자가 공간을 절약하고 무게, 냉각 요구사항을 낮추면서 신뢰성을 향상시키고 시스템 비용을 줄일 수 있도록 돕는다.
새로운 1200V SiC MOSFET은 신뢰성과 성능을 결합하도록 최적화됐으며 1200V 실리콘(Si) IGBT보다 10배 낮은 새로운 기준을 제시하는 동적 손실로 동작한다.
처음에는 태양광 인버터, 무정전 전원장치(UPS) 또는 충전/스토리지 시스템과 같은 애플리케이션에서 시스템 향상을 지원하며, 이후에 산업용 드라이브를 지원하는 구성으로 확대될 예정이다.
이 MOSFET은 통상 IGBT 구동에 사용되는 +15V/-5V 전압과 완벽하게 호환된다. 또한 4V의 문턱 전압 정격(Vth)과 타겟 애플리케이션에 요구되는 단락 회로 견고성 및 완벽히 제어 가능한 dv/dt 특성을 결합하고 있다.
그 밖에 Si IGBT에 대한 주요 장점으로 온도에 독립적인 스위칭 손실과 threshold-voltage-free 온-상태 특성이 있다.
SiC 반도체 개발에서 축적된 다년 간의 경험이 집약된 새로운 MOSFET은 첨단 트렌치 반도체 공정을 기반으로 하며 인피니언의 가장 발전된 포괄적인 CoolSiC 기술 제품군을 대표한다.
이 제품군은 쇼트키 다이오드와 1200V J-FET 디바이스, 그리고 Si IGBT와 SiC 다이오드를 모듈 디바이스에 통합한 광범위한 하이브리드 솔루션을 포함한다.
첫 번째 디스크리트 1200V CoolSiC MOSFET은 단 45mΩ 의 온-저항(RDS(ON)) 정격을 갖는다. 디바이스는 3핀 및 4핀 TO-247 패키지로 제공되며 태양광 인버터, UPS, 배터리 충전 및 에너지 스토리지 애플리케이션에 적합하다.
두 디바이스는 모두 거의 역 복구 손실 없이 동작하는 견고한 정류 바디 다이오드를 통합하고 있어 간편하게 동기 정류 방식에 사용할 수 있다.
4핀 패키지는 게이트 구동 전압에 기준전위로 사용할 수 있는 추가적인(켈빈) 핀이 소스핀에 연결된다. 이것은 소스루프 인덕턴스로 인한 전압 강하의 영향을 제거해 특히 높은 스위칭 주파수에서 스위칭 손실을 더욱 낮춰준다.
인피니언은 2016년 하반기에 타겟 애플리케이션을 위한 샘플 제공을 시작할 예정이라고 밝히고 있다.
베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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