로옴 세미컨덕터 코리아(대표 권오주)는 27일 세계 최초로 트렌치 (Trench) 구조를 채용한 SiC-MOSFET (실리콘 카바이드 모스펫)을 개발하여, 양산 체제를 구축했다고 발표했다.

 

 

지금까지 SiC-MOSFET에서의 Trench 구조 채용은 ON 저항을 대폭 낮출 수 있다는 점에서 주목받아 왔으나, 게이트 트렌치 부분에서 발생하는 전계를 완화하고 장기적인 신뢰성을 확보하는 것이 과제였다.

로옴은 독자적인 더블 Trench 구조를 채용해 이와 같은 과제를 극복했다. 덕분에 기존의 Planar 타입 SiC-MOSFET에 비해 동일 칩 사이즈로 ON 저항을 50% 낮추었으며, 입력용량이 35% 저감됨에 따라 스위칭 성능도 향상되었다.

 
전력을 사용하는 모든 영역에서 효율이 당면과제로 떠오르고 있는 현대의 산업환경에서 로옴의 혁신적인 SiC Trench MOSFET은 다양한 기기에 적용할 수 있을 것으로 기대된다. 특히, ▲태양광 발전용 파워 컨디셔너 ▲산업기기용 전원 ▲공업용 인버터 등 대용량의 전력을 소비하는 기기의 소형화와 저소비전력화에 더욱 유리할 것으로 전망된다.
 
 
 
 
로옴은 이번에 개발한 Trench 구조 SiC-MOSFET을 사용한 Full SiC 파워 모듈을 제품화하여 제공한다고 밝혔다. 내부 회로는 2-in-1 구조를 채용, SiC-MOSFET과 SiC-SBD를 1패키지에 내장하고 1200V/180A 정격을 실현하였다.

Si-IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실이 크게 저감되었으며, Planar타입 SiC-MOSFET을 사용한 Full SiC 모듈과 비교해도 스위칭 손실을 42% 가량 저감했다고 로옴 측은 설명했다.

향후 로옴은 디스크리트 타입으로 650V (118A), 1200V (95A) 정격의 제품을 각 3종류씩 순차적으로 제품화할 예정이라고 전했다.

베타뉴스 이직 기자 (leejik@betanews.net)
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