삼성전자가 지난 1월, 세계 최초로 30나노미터급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다. 이번에 개발한 30나노미터급 D램은 지난해 1월 40나노미터급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 삼성전자는 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.

그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노미터급 D램이 한계로 여겨져 왔으나, 삼성전자는 40나노미터급 D램을 개발한 지 1년만에 한계를 극복하고 30나노미터급 공정을 개발해 낸 것이다.

또한, 삼성전자는 50나노미터급 공정을 개발한 후 40나노미터급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸는데 비해, 30나노미터급 공정을 1년 만에 개발해 내면서 기술 개발의 의미를 더 했다. 삼성전자는 지난해 12월 30나노미터급 2기가비트 DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료한 것으로 알려졌다.

30나노미터급 D램은 지난해 7월, 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노미터급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노미터급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

또, 30나노미터급 D램은 50나노미터급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노미터급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

삼성전자는 30나노미터급 2기가비트 DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다. 서버 솔루션으로 동작전압 1.35볼트에서 동작 속도가 초당 1.6기가비트(Gbps)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.

특히, PC 솔루션에서 30나노미터급 D램이 구현한 DDR3 1.5볼트 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 초당 600메가비트(Mbps) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다."며, "30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다. 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 '그린 메모리' 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다.

삼성전자는 향후에도 업계 최고의 기술력을 발휘해 차세대 D램을 선행 개발하고, 대용량 저전력 제품으로 고부가가치 D램 시장을 적극 확대하는 한편 고객의 수요에 적극적으로 대응하여 D램 시장 성장을 견인해 나갈 계획이다.